2N5021 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5021
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内容描述：	P沟道硅结型场效应晶体管 [P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 93 K
品牌：	INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]

B-18

01/99

2N5020, 2N5021

P沟道硅结型场效应晶体管

¥模拟开关

在T绝对最大额定值

= 25¡C

反向栅源&反向栅极漏极电压

连续正向栅电流

连续器件功耗

功率降额

存储温度范围

– 50 V

50毫安

500毫瓦

4毫瓦/°C的

- 65 ° C至+ 200℃

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门源击穿电压

门反向电流

门源截止电压

饱和漏电流（脉冲）

动态电气特性

常见的来源

正向跨导

共源输出电导

共源输入电容

常见的来源

反向传输电容

国际空间站

RSS

（ BR ） GDO

GSS

GS （ OFF ）

DSS

2N5020

民

0.3

1.5

最大

2N5021

民

0.5

–1

2.5

– 3.5

最大

单位

过程PJ32

测试条件

= 1μA ，V

= ØV

= 15V, V

= ØV

= - 15V ，我

= 1 NA

= – 15V, V

= ØV

– 0.3 – 1.2

3.5

1.5

µS

= – 15V, V

= ØV

= – 15V, V

= ØV

= – 15V, V

= ØV

= – 15V, V

= ØV

F = 1 MHz的

TOÐ18套餐

尺寸以英寸（毫米）

表面贴装

SMP5020 ， SMP5021

引脚配置

1来源1 ， 2门&案例， 3漏

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

www.interfet.com

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