欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N3958 参数 Datasheet PDF下载

2N3958图片预览
型号: 2N3958
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道硅双结型场效应晶体管 [N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 68 K
品牌: INTERFET [ INTERFET CORPORATION ]
   
B-6
01/99
2N3957, 2N3958
N沟道硅双结型场效应晶体管
日元和低中频
差分放大器器
•高输入阻抗
放大器器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
栅电流
器件总功耗(每边)
@ 85 ° C的温度(两侧)
功率降额(双方)
– 50 V
50毫安
250毫瓦
500毫瓦
4.3毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门工作电流
门源电压
门源截止电压
门源正向电压
饱和漏电流(脉冲)
动态电气特性
常见的来源
正向跨导
共源输出电导
共源输入电容
排水栅电容
常见的来源
反向传输电容
噪声系数
差动电流门
饱和漏极电流比
差分门源电压
差分门源
电压与温度
跨比
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
DGO
C
RSS
NF
| I
G1
– I
G2
|
I
DSS1
/ I
DSS2
| V
GS1
– V
GS2
|
∆V
GS1
– V
GS2
∆T
2N3957
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
G
V
GS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
I
DSS
0.5
– 50
– 100
– 500
– 50
– 250
– 4.2
– 0.5
–1
–4
– 4.5
2
5
最大
2N3958
– 50
– 100
– 500
– 50
– 250
– 4.2
– 0.5
–1
0.5
–4
– 4.5
2
5
最大
单位
V
pA
nA
pA
nA
V
V
V
V
mA
过程NJ16
测试条件
I
G
= - 1 μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 30V, V
DS
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 50 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= Ø, I
G
= 1毫安
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
T
A
= 125°C
T
A
= 125°C
1000 3000 1000 3000
1000
35
4
1.5
1.2
0.5
10
0.9
1
20
6
7.5
0.9
1
0.85
0.85
1000
35
4
1.5
1.2
0.5
10
1
25
8
10
1
µS
µS
µS
pF
pF
pF
dB
nA
mV
mV
mV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
S
= ØA
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
R
G
= 10 MΩ
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V, V
GS
= ØV
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
V
DS
= 20V ,我
D
= 200 µA
F = 1千赫
F = 200 MHz的
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 100赫兹
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
至 - 55°C
T
A
= 25°C
至125℃
g
fs1
/ g
fs2
F = 1千赫
TOÐ71套餐
见G部分的外形尺寸
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 5来源,
6排水, 7门
www.interfet.com