8XC196KC 8XC196KC20
工艺信息
这个装置被上PX29 5或PX29 9制造的
CHMOS III过程中附加的工艺和reliabili-
在英特尔的TY信息可
组件
质量和可靠性手册
订单号
210997
表2 8XC196KC存储器映射
描述
外部存储器或I O
内部ROM OTPROM或外部
内存（由EA决定）
保留必须包含FFH
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
ROM OTPROM安全密钥
保留必须包含FFH
（注5 ）
270942 – 43
地址
0FFFFH
06000H
5FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1FFEH
1FFDH
0200H
01FFH
0018H
0017H
0000H
保留必须包含20H
（注5 ）
建行
保留必须包含FFH
（注5 ）
较低的中断向量
例子
N87C196KC是68引脚PLCC OTPROM
16兆赫
有关完整的包维数据参考
英特尔包装手册（订单号240800 ）
记
1的EPROM可作为一次性可编程
（ OTPROM ）仅
端口3，端口4
外部存储器
488字节RAM寄存器（注1 ）
图3中的8XC196KC家庭命名
表1热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
SQFP
i
ja
35 C宽
55 C宽
待定
i
jc
13 C宽
16 C宽
待定
CPU SFR的（注1 3 4 ）
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗值1W的条件将改变
根据操作条件和应用见
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法说明
笔记
1位置0000H到01FFH执行的代码会
强制外
2保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
注意
3保留SFR位的位置必须包含0
4参见8XC196KC用户手册SFR描述
5
警告
保留的内存地址不能为
写入或读取这些某一地址的内容，或功能
阳离子可以与该设备的未来版本更改
因此，依赖于一个或一个以上的这些程序
地点可能无法正常工作
3
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