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28F640C3 参数 Datasheet PDF下载

28F640C3图片预览
型号: 28F640C3
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内容描述: 3伏特英特尔高级+引导块闪存 [3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 18 页 / 171 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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修订历史
日期
05/13/98
VERSION
-001
描述
文件包括所有已知的规格,日期(原始版本) 。
改变订购信息32兆位密度为95纳秒和115纳秒提供
只访问速度
06/02/98
-002
新增μBGA *包装标志说明
补充测试条件澄清,因为我
PPD
补充说明变化μBGA *封装引脚
新增勘误表我最大
CCD
变化
新增规格变更为字节范围内的保护寄存器寻址
新增CFI主要厂商特有的扩展查询更改
加块锁定命令序列变化
V
IH
最大规格变更
除去48引脚TSOP封装引脚变化(固定在290645-002 )
除去保护寄存器寻址变化(固定在290645-002 )
除去CFI查询结构输出表变动(固定290645-002 )
除去订购信息变更(固定在290645-002 )
除去μBGA *封装引脚变化(固定290645-002 )
除去保护寄存器寻址澄清(固定在290645-002 )
除去μBGA *包装标志澄清(固定在290645-002 )
除去字节范围内的保护寄存器寻址变化(固定290645-
003)
07/08/98
08/12/98
09/09/98
-003
-004
-005
09/24/98
-006
10/02/98
-007
去掉V
IH
最大的变化(固定在290645-003 )
除去我
PPD
测试条件澄清(固定在290645-003 )
从名字改
3伏高级+引导块闪存系列
补充规格变更# 1 ,
我最大
CCD
变化
补充规格变更# 2 ,
CFI初级供应商特定的扩展查询
变化
05/04/99
-008
补充规格变更# 3 ,
块锁定命令序列变化
补充规格变更#4
32 MB最大V
CC
变化
更新CFI特征识别位定义
改名规格变更#4
32 MB最大V
CC
变化,
to
0.25µm
32 MB最大V
CC
变化,
修改它,以指示受影响的产品
是32 Mb的产品在0.25微米工艺
修订勘误# 1 ,
我最大
CCE
当V
PP
=12 V
添加勘误# 2 ,
28F320C3xC复位失败
更新勘误# 2 ,
28F320C3xC复位失败,加3.3V的Vcc最大
添加勘误# 3 ,
28F640C3xC
对于我最大
CCD
/ I
CCS
变化
添加勘误# 4 ,
28F160C3xC擦除恢复问题
添加勘误# 5 ,
28F160C3xC和28F640C3xC锁定/解锁/锁定下
手术
10/05/00
-009
05/03/01
07/23/01
11/05/01
3/05/02
11/21/02
-010
-011
-012
-013
-014
28F800C3 , 28F160C3 , 28F320C3 , 28F640C3规范更新
5