英特尔StrataFlash®无线存储器（ L18 ）
1.0
介绍
本文档提供有关英特尔的StrataFlash信息
®
无线存储设备（ L18 ） 。
本文档介绍了该设备的功能，操作和规范。
1.1
命名法
1.8 V:
1.7 V的范围内 - 2.0 V（除非另有说明）
1.8 V扩展范围：
范围为1.35 V - 2.0 V
VPP = 9.0 V ：
V
PP
8.5 V电压范围 - 9.5 V
块：
一组比特，字节或字的快闪存储器阵列内的同时擦除
当擦除命令被发送到设备。英特尔StrataFlash®无线存储器（ L18 ）
有两个块大小： 16千字，和64千字。
主座：
这通常用来存储代码和/或数据的阵列块。主要模块有较大
比参数块。
参数块：
是通常用来存储阵列块频繁变化的数据或小
传统上会被存储在EEPROM中的系统参数。
顶级的设备参数：
先前称为顶引导设备，将设备与它的参数
分区位于其存储器映射中的物理地址最高。在参数块
参数分区位于所述参数分区的物理地址最高。
底层设备参数：
先前被称为底部引导装置，一个装置，其
参数分区位于其存储器映射中的最低的物理地址。参数块
一个参数分区中的位置如下所述参数分区的最低的物理地址。
分区：
一组共享共同的程序块/擦除电路。一个分区内的块
也都有一个共同的状态寄存器。如果分区中的任何块正被编程或擦除时，
只有状态寄存器的数据（而不是数组数据）时，可以使用那个分区中的任何地址
被读出。
主分区：
分区只包含主要模块。
参数分区：
分区包含参数块和主要模块。
1.2
缩略语
崔：
命令的用户界面
MLC ：
多级单元
OTP ：
一次性可编程
PLR ：
保护锁注册
PR ：
保护注册
数据表
英特尔StrataFlash®无线存储器（ L18 ）
订单号： 251902 ，修订： 009
2005年4月
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INTEL [ INTEL CORPORATION ]
