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28F640J5 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 28F640J5
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内容描述: 5伏英特尔的StrataFlash ?内存 [5 Volt Intel StrataFlash® Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 51 页 / 620 K
品牌: INTEL [ INTEL CORPORATION ]
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28F320J5和28F640J5
表1中。
符号
A
0
LEAD说明
TYPE
输入
名称和功能
字节选择地址:
高和低字节之间选择时,该设备处于x8模式。
在一个x8的程序循环这个地址被锁存。不使用x16模式(即在A
0
输入缓冲器
被关断时,字节#是高电平)。
地址输入:
在读取和编程操作输入的地址。地址是
在一个程序循环内部锁存。
32 - Mbit的:一个
0
–A
21
64 - Mbit的:一个
0
–A
22
低字节数据总线:
在缓冲区写入和编程,并输入输入数据
在命令用户界面(CUI )命令写入。输出数组,查询,识别,或状态
在适当的读出模式的数据。浮时的芯片将被取消选择或输出
禁用。输出DQ
6
-DQ
0
也飘来的时候写状态机( WSM )忙。入住
SR.7 (状态寄存器的第7位),以确定WSM状态。
高字节数据总线:
在x16的缓冲区写入和编程操作的输入数据。
输出数组中,在相应的读出模式的查询,或者标识符的数据;不使用状态寄存器
读取。当芯片被取消选择浮动时,输出被禁用,或者WSM忙。
芯片使:
激活该设备的控制逻辑电路,输入缓冲器,解码器,和感
放大器。当该装置被去选择(见
功率降低到待机
的水平。
所有的时序规格是相同的这三个信号。与第一设备选择发生
CE的边缘
0
,CE
1
,或CE
2
使得装置。设备取消选择时用的第一边缘
CE
0
,CE
1
,或CE
2
禁用该设备(见
RESET / POWER- DOWN :
重置内部自动化和使器件在掉电模式。
RP # - 高能够正常运行。从复位退出设置设备来读取阵列模式。当
驱动为低电平, RP #禁止写操作期间,该电源转换提供数据保护。
RP #在V
HH
使主锁定位设置和块锁定位配置时,主
锁位被置位。 RP # = V
HH
覆盖块锁定位,从而使块擦除和
编程操作锁定的内存块。不要永久连接RP #到V
HH
.
OUTPUT ENABLE :
在读周期激活通过数据缓冲器装置的输出。
OE #为低电平有效。
写使能:
控制写入命令的用户界面,写缓冲区和数组
块。 WE#为低电平有效。地址和数据被锁存在WE#脉冲的上升沿。
状态:
表示的内部状态机的状态。当在水平模式下配置
(缺省模式) ,它作为一个RY / BY#引脚。当它的脉冲模式中的一个配置,它可以素菜
表明程序和/或擦除完成。对于STATUS引脚的备用配置,请参阅
配置命令。配合STS到V
CCQ
用的上拉电阻。
字节使能:
BYTE #为低电平时,器件在x8模式。所有数据被输入或输出上
DQ
0
-DQ
7
而DQ
8
-DQ
15
浮动。地址
0
的高和低字节之间进行选择。 BYTE #高
将器件置于x16模式,并关闭了A
0
输入缓冲器。地址
1
然后变成
最低阶的地址。
擦除/编程/块锁定ENABLE :
用于擦除阵列块,编程数据,或
配置锁定位。
随着V
V
PENLK
,存储器的内容不能被改变。
供应
产量
卜FF器
供应
供应
器件电源:
随着V
CC
V
LKO
所有试图写入到闪存被禁止。
输出缓冲电源:
该电压控制装置的输出电压。对
获得与系统数据总线电压兼容的输出电压,连接V
CCQ
到系统
电源电压。
地面:
不要任何浮动接地引脚。
无连接:
铅是没有内部连接;它可被驱动或浮置。
A
1
–A
22
输入
DQ
0
-DQ
7
输入/
产量
DQ
8
-DQ
15
输入/
产量
CE
0
,
CE
1
,
CE
2
输入
RP #
输入
OE #
WE#
输入
输入
开放
产量
STS
BYTE #
输入
V
V
CC
V
CCQ
GND
NC
输入
数据表
9