28F400B3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	28F400B3
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内容描述：	智能3高级启动块字宽 [SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE]
分类和应用：
文件页数/大小：	49 页 / 426 K
品牌：	INTEL [ INTEL CORPORATION ]

智能3高级启动块，字宽

1.2

产品概述

英特尔提供了最灵活的解决方案，电压

闪存行业，提供三个独立的电压

电源引脚： V

对于读操作，V

CCQ

输出

摆动，和V

编程和擦除操作。

独立的电源引脚允许系统设计人员使用

最佳的电压电平为他们的设计。所有智能

3高级启动区块快闪记忆体产品

提供编程/擦除功能，在2.7V或12V

和阅读V

在2.7V 。由于许多设计

从闪速存储器的大百分比读

当时， 2.7V V

操作可提供

大幅降低功耗。 12V的V

选项

最大限度地计划，并在擦除性能

生产编程。

智能3高级启动区块快闪记忆体

产品具有低的高性能设备

功率运行。用于字处理可用密度

广泛的设备（ X16 ）是

一。 4兆位（ 4,194,304位）

FL灰

内存

组织各16位256 - K字

B 。 8兆位（ 8,388,608位）

FL灰

内存

组织各16位512 - K字

Ç 。 16兆位（ 16777216位）闪存

组织为每个16位的1024 - K字。

对于字节宽的设备（ X8 ）见

智能3

高级启动区块字节宽度闪存

家庭

数据表。

该参数块位于任一顶端

的（由-T后缀表示）或底部（-B后缀）

地址映射，以适应不同

微处理器协议内核代码的位置。

上面的两个（或两个低）参数可以阻止

被锁定为提供完整的代码安全

系统初始化代码。锁定和解锁是

通过WP ＃控制（参见3.3节的详细信息）。

命令用户界面（CUI ）作为

接口

间

该

微处理器

微控制器和的内部运作

闪存。内部写状态机

（ WSM ）自动执行的算法和

必要的编程和擦除时序

操作，

INCLUDING

验证，

从而

unburdening微处理器或微控制器。

状态寄存器指示WSM状态

通过标志着块擦除或Word程序

完成和状态。

编程和擦除允许自动化和程序

擦除操作，以使用业界被执行

标准的双写的命令序列，以在CUI 。

数据写在字为单位进行的。

在闪速存储器中的每个字可以被编程

独立于其它存储器位置;一切

擦除操作擦除一个区块内的所有地点

同时。节目暂停允许系统

软件以暂停程序命令

从任何其它块读取。擦除挂起允许

系统软件暂停块擦除

命令，以读取或编程数据到

任何其它的块。

智能3高级启动块闪存

还设计有一个自动节能

（ APS）的功能，它最大程度地减少系统的电流

漏，允许非常低的功耗设计。这

模式根据输入紧接

一个读周期的完成。

当CE ＃和RP ＃引脚在V

中，我

CMOS待机模式下被启用。深加电

关断模式时启用的RP ＃引脚为

GND ，降低功耗，并提供

写保护。我

目前在深度掉电是

1 μA典型（ 2.7V V

）。的最小复位时间

PHQV

从RP ＃需要切换到高

输出是有效的阅读尝试。随着RP ＃在

GND时， WSM复位和状态寄存器是

清除。第3.5节中包含的其他信息

使用掉电的深特征，连同

其他功耗问题。

在RP ＃引脚提供了对额外的保护

期间可能发生的不必要的命令写入

由于系统复位和上电/下转换序列

无效的系统总线条件（见第3.6节）。

请参考直流特性表，第5.1

和6.1 ，完整的电流和电压

规格。请参见AC特性

表，第7.0节，读取，编程和擦除

性能规格。

2.0

产品说明

本节介绍了器件的引脚说明和

封装引脚。

初步

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