1.8伏特英特尔
®
无线闪存
用3伏的I / O和SRAM （ W30 ）
28F6408W30 ， 28F3204W30 ， 28F320W30 ， 28F640W30
初步数据表
产品特点
闪存性能
- 70 ns的初始访问速度
- 25纳秒页面模式读取速度
- 20 ns的突发模式读取速度
- 突发模式和页模式中的所有块和
在所有的分区边界
- 增强的工厂编程：
每个字编程时间3.5微秒
- 可编程等待信号极性
s
闪光灯电源
— V
CC
= 1.70 V – 1.90 V
— V
CCQ
= 2.20 V – 3.30 V
- 待机电流= 6 μA （典型值）。
- 读取电流= 7毫安
（ 4字突发，典型值）。
s
FLASH软件
- 5/9微秒（典型值）编程/擦除挂起延时
时间
•英特尔
®
闪存数据集成（ FDI）和
通用闪存接口（ CFI ）兼容
s
质量和可靠性
- 工作温度：
-25°C至+85°C
- 100K最小擦除周期
- 0.18微米ETOX ™VII过程
s
闪存架构
- 多4兆位分区
- 双操作： RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 ， K字
- 顶部和底部的设备参数
s
闪存安全
- 128位保护寄存器： 64唯一设备
标识符位; 64用户OTP保护
寄存器位
- 绝对的写保护与V
PP
在地面
- 计划和电源时擦除锁定
TRANSITIONS
- 个人和瞬时块锁定/
与向下锁定解锁
s
SRAM
- 70 ns的访问速度
- 16位的数据总线
- 低电压数据保留
= S-V
CC
= 2.20 V – 3.30 V
s
密度和包装
- 32 - Mbit的离散的VF BGA封装
- 64 - Mbit的离散的μBGA *包装
- 56有源矩阵球， 0.75毫米球间距
μBGA *和VF BGA封装
- 32 /4 ， 64 / 8和128 /待定？兆位（闪存+
SRAM）的80球堆积-CSP封装（ 14
毫米毫米x 8毫米）
- 16位的数据总线
s
1.8伏特英特尔
®
无线闪存用3伏I / O结合国家的最先进的英特尔
®
闪存技术
低功耗SRAM ，提供最通用和紧凑的内存解决方案的高性能，低功耗，
主板内存限制的应用。
1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O提供了多分区，双操作闪存
架构，该架构使该器件能够读取一个分区，而编程或擦除在另一个分区。
这同时读 - 写或读时擦除功能，能够实现更高的数据吞吐率
相比于单个分区的设备，它允许两个处理器来交错的代码执行，因为
编程和擦除操作，现在可以发生的后台进程。
1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O采用了新的增强型工厂编程
（ EFP ）模式，以提高12 V工厂编程的性能。这一新功能有助于消除制造
编程高密度闪存设备相关的瓶颈。对比3.5微秒的EFP节目时间
每个字，每字8.0微秒的标准厂房项目的时间和节省显著的工厂编程的时间
以提高工厂的效率。
此外， 1.8伏特英特尔无线闪存与3伏I / O包括块向下锁定，可编程
WAIT信号极性与所支持的软件工具的阵列。所有这些特点使这款产品完美
解决方案对于任何苛刻的应用程序的内存。
注意：
本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该
规格如有变更，恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的
你有一个定案之前，设计最新的数据表。
290702-002
2001年3月
INTEL [ INTEL CORPORATION ]
