E
1.0
1.1
28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY
介绍
1.2
主要特点
该数据表包括规范
该28F002BC 2兆位闪存。第1节
提供2兆位闪存存储器的概况，
INCLUDING
应用程序，
引脚，
和
针
说明。第2节介绍的内存
组织中的细节。第3节定义
的记忆的原理介绍
操作。最后，第4节详细介绍了存储的
操作规范。
该28F002BC引导块闪存是一种高
性能， 2兆位（ 2,097,152位）快闪记忆体
组织为256字节的8位（ 262,144字节）
每一个。
该28F002BC有单独擦除块，
包括硬件，可锁定引导块（ 16,384
字节），两个参数块（每8,192字节）
的98,304字节，两大块（1块
与131,072字节1块）。擦除
操作通常擦除的主要模块1
2.4秒，在开机或参数块
1.0秒。每个块可独立
擦除和编程100,000次。
引导块位于所述地址的顶部
映射，以匹配许多系统的协议，
其中包括英特尔的MCS- 186系列， 80960CA ， 1860 ™
微处理器以及奔腾和奔腾
亲微处理器。在硬件上锁启动
块提供了最安全的代码存储。该
引导块是用于存储内核代码
需要引导式的系统。当RP ＃
脚是11.4V与12.6V之间时，引导块
解锁和编程和擦除操作即可
来执行。当RP ＃引脚处于或低于
6.5V ，引导块被锁定，程序和
擦除操作来引导块将被忽略。
命令用户界面（CUI ）作为
微处理器之间或接口
微控制器和的内部运作
28F002BC.
编程和擦除的自动化程序允许
和擦除使用一个被执行的操作
工业标准的双写的命令序列，以
崔。数据写操作的字节进行
增量。在闪速存储器中的每个字节可以是
独立于其他存储器编程
位置，但与所有同时擦除
块内的其它位置。
状态寄存器（ SR ）表示的状态
内部写状态机（ WSM ） ，其中报告
对程序和/或擦除关键信息
序列。
80 ns的最大访问时间（t
加
）是
保证在商用温度
范围（ 0℃〜 + 70℃ ），10 ％的V
CC
电源电压
范围（ 4.5V至5.5V ）和100 pF的输出负载。
设计的密度
升级
该28F002BC进行了优化，以满足
市场要求。目前正在使用的应用程序
在28F001BX和28F002BX可以迁移到该
产品。当然，无论是28F001BX和
28F002BX设备使用一个8位宽的总线。那些
应用程序需要一个16位宽的总线或低级
电压转换为智能5
SmartVoltage系列闪存产品。
SmartVoltage也是自然的迁移路径
的4兆位密度。无论是28F002BC和
4兆位SmartVoltage均提供相同的
包进行无缝升级。几个
简单的考虑，可以平滑迁移
路径显著：
1.
连接28F002BC到GND的NC引脚
（这将保留引导块锁定时，
4兆位SmartVoltage插入） 。
设计一个开关V
PP
趁
在5V V
PP
在SmartVoltage设备选项。
如果预计使用5V V
PP
OPTION ，
开关管V
PP
至GND为完整的写
保护。
2.
3.
以往的设计与英特尔的28F002BX设备
有时不得不用NOR门（或一些
其他方案） ，以防止漂浮的问题
地址锁存不正确的数据。该28F002BC
已纠正这一问题，并且不需要在
或非门。当使用迁移设计
28F002BX到28F002BC ， NOR门可以是
删除。当考虑升级，包装
是非常重要的。当前和未来
市场趋势表明， TSOP和PSOP作为
包，使设计进入下一
世纪。
初步
5
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