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SPW47N60C3 参数 Datasheet PDF下载

SPW47N60C3图片预览
型号: SPW47N60C3
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内容描述: 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS™ Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管脉冲PC局域网
文件页数/大小: 13 页 / 243 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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SPW47N60C3
电气特性
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=30A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
典型值。
40
6800
2200
145
193
412
18
27
111
8
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
165
12
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容,
2)
C
O( ER )
能源相关
有效输出电容,
3)
C
O( TR )
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
pF
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=47A,
R
G
=1.8Ω,
T
j
=125
-
-
-
-
ns
V
DD
=350V,
I
D
=47A
-
-
-
-
24
121
252
5.5
-
-
320
-
nC
V
DD
=350V,
I
D
=47A,
V
GS
= 0至10V
V
(高原)
V
DD
=350V,
I
D
=47A
V
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
=E
AR
*f.
AV
2
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
3
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
第3页
2003-11-06