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    SPW20N60C3 参数 Datasheet PDF下载

    SPW20N60C3图片预览
    型号： SPW20N60C3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS™ Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 259 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPW20N60C3的Datasheet PDF文件第9页  
    最终数据
    SPW20N60C3
    最大额定值
    参数
    漏源电压斜率
    V
    DS
    = 480 V,
    I
    D
    = 20.7 A,
    T
    j
    = 125 °C
    符号
    dv / dt的
    价值
    50
    单位
    V / ns的
    热特性
    参数
    热阻，结 - 案
    热阻，结 - 环境，含铅
    符号
    分钟。
    R
    thJC
    R
    thJA
    -
    -
    值
    典型值。
    -
    -
    马克斯。
    0.6
    62
    K / W
    单位
    焊接温度，
    从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
    T
    出售
    -
    -
    260
    °C
    电气特性，
    at
    Tj=25°C
    除非另有说明
    参数
    符号
    条件
    分钟。
    漏源击穿电压
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,
    I
    D
    =0.25mA
    漏源雪崩
    击穿电压
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    D
    =1000µΑ,
    V
    GS
    =V
    DS
    V
    DS
    =600V,
    V
    GS
    =0V,
    T
    j
    =25°C,
    T
    j
    =150°C
    值
    典型值。
    -
    700
    3
    0.5
    -
    -
    0.16
    0.43
    0.54
    马克斯。
    -
    -
    3.9
    600
    -
    2.1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    （ BR ） DS
    V
    GS
    =0V,
    I
    D
    =20A
    µA
    25
    250
    100
    0.19
    -
    -
    nA
    Ω
    栅极 - 源极漏电流
    I
    GSS
    V
    GS
    =30V,
    V
    DS
    =0V
    V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =13.1A,
    T
    j
    =25°C
    T
    j
    =150°C
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    门输入电阻
    R
    G
    f=1MHz,
    漏极开路
    第2页
    2003-09-17

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