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SPP20N60C3 参数 Datasheet PDF下载

SPP20N60C3图片预览
型号: SPP20N60C3
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内容描述: 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS™ Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 14 页 / 314 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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最终数据
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 20.7 A,
T
j
= 125 °C
SPP20N60C3 , SPB20N60C3
SPI20N60C3 , SPA20N60C3
符号
dv / dt的
价值
50
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻,结 - 案
热阻,结 - 的情况下, FULLPAK
热阻,结 - 环境,含铅
热阻,结 - 环境, FULLPAK
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
焊接温度,
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
4)
电气特性,
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
V
( BR ) DS
V
GS
=0V,
I
D
=20A
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
=1000µA,
V
GS = V DS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
-
-
T
出售
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
35
-
马克斯。
0.6
3.6
62
80
62
-
260
单位
K / W
°C
典型值。
-
700
3
0.1
-
-
0.16
0.43
0.54
马克斯。
-
-
3.9
单位
V
600
-
2.1
-
-
-
-
-
-
µA
1
100
100
0.19
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=30V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=13.1A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
第2页
2003-10-08