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SPP20N60C3XK 参数 Datasheet PDF下载

SPP20N60C3XK图片预览
型号: SPP20N60C3XK
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内容描述: [Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小: 14 页 / 314 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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最终数据
SPP20N60C3 , SPB20N60C3
SPI20N60C3 , SPA20N60C3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS ( ON)
I
D
650
0.19
20.7
V
A
酷MOS ™功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS ( ON)
在220
P-TO220-3-31
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P- TO- 220-3-31 :完全隔离包(2500 VAC , 1分钟)
TYPE
SPP20N60C3
SPB20N60C3
SPI20N60C3
SPA20N60C3
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
P-TO220-3-31
1
2
3
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4398
Q67040-S4397
Q67040-S4550
记号
20N60C3
20N60C3
20N60C3
20N60C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4410
符号
I
D
20.7
13.1
I
ð PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
62.1
690
1
20
±20
±30
208
价值
SPP_B
SPP_B_I
SPA
单位
A
20.7
1)
13.1
1)
62.1
690
1
20
±20
±30
34.5
W
°C
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流,
t
p
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
D
=10A,
V
DD
=50V
雪崩能量,重复
t
AR
T
JMAX
2)
I
D
=20A,
V
DD
=50V
雪崩电流,重复性
t
AR
T
JMAX
栅源电压静态
栅极 - 源极电压AC (F >1Hz )
功耗,
T
C
= 25°C
工作和存储温度
-55...+150
第1页
2003-10-08