欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    IKW75N60T 参数 Datasheet PDF下载

    IKW75N60T图片预览
    型号： IKW75N60T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低损耗DUOPACK ： IGBT的沟槽场终止和技术，软，恢复快反平行EMCON何二极管 [Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode]
    分类和应用： 二极管双极性晶体管
    文件页数/大小： 13 页 / 411 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IKW75N60T的Datasheet PDF文件第9页  
    TRENCHSTOP系列
    热阻
    参数
    特征
    IGBT的热电阻，
    结 - 案
    二极管热阻
    结 - 案
    热阻，
    结 - 环境
    电气特性，
    at
    T
    j
    = 25
    °C,
    除非另有说明
    参数
    静态特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    （ B R ）C （E S）
    V
    摹ê
    = 0V ,
    I
    C
    = 0 0.2米一
    V
    CE （ SAT ）
    V
    摹ê
    = 15 V ,
    I
    C
    = 75 A
    T
    j
    =2 5
    °C
    T
    j
    =1 7 5° C
    二极管的正向电压
    V
    F
    V
    摹ê
    = 0V ,
    I
    F
    = 7 5 A
    T
    j
    =2 5
    °C
    T
    j
    =1 7 5° C
    栅极 - 发射极阈值电压
    零栅极电压集电极电流
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    C
    = 1 2米A，
    V
    权证
    =
    V
    摹ê
    V
    权证
    = 60 0 V
    ,
    V
    摹ê
    = 0V
    T
    j
    =2 5
    °C
    T
    j
    =1 7 5° C
    栅极 - 发射极漏电流
    跨
    集成门极电阻
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电荷
    内置发射器电感
    （ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
    短路集电极电流
    1)
    IKW75N60T
    q
    马克斯。值
    0.35
    0.6
    40
    单位
    K / W
    符号
    R
    thJC
    R
    thJCD
    R
    thJA
    条件
    符号
    条件
    价值
    分钟。
    600
    -
    -
    -
    -
    4.1
    典型值。
    -
    1.5
    1.9
    1.65
    1.6
    4.9
    马克斯。
    -
    2.0
    -
    2.0
    -
    5.7
    单位
    V
    µA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    41
    -
    40
    1000
    100
    -
    nA
    S
    Ω
    I
    GES
    g
    fs
    R
    GINT
    V
    权证
    = 0V ,
    V
    摹ê
    =2 0 V
    V
    权证
    = 20 V ,
    I
    C
    = 75 A
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    门
    L
    E
    I
    C（ SC ）
    V
    权证
    = 25 V ,
    V
    摹ê
    = 0V ,
    f=
    1 MH ž
    V
    C C
    = 48 0 V,
    I
    C
    =7 5 A
    V
    摹ê
    = 15 V
    -
    -
    -
    -
    -
    4620
    288
    137
    470
    13
    687.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    pF
    nC
    nH
    A
    V
    摹ê
    = 15 V ，T
    S·C
    ≤
    5
    µs
    V
    C C
    = 4 0 0 V,
    T
    j
    ≤
    150°C
    -
    1)
    允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
    2
    修订版2.4 06年5月
    功率半导体

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6