BSS84 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84
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内容描述：	SIPMOS小信号晶体管（P沟道增强模式的逻辑电平） [SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 76 K
品牌：	INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]

BSS 84

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

1）包安装在铝

15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米

符号

值

-55 ... + 150

≤

350

≤

285

55 / 150 / 56

单位

°C

K / W

英镑

thJA

Therminal电阻，芯片底物反面

thJSR

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

-50

-1.5

-0.1

-2

-1

-2

= 0 V,

= -0.25毫安，

= 25 °C

栅极阈值电压

GS （ TH）

-0.8

GS =

DS ，

= -1毫安

零栅极电压漏极电流

DSS

-1

-60

-0.1

µA

= -50 V,

= 0 V,

= 25 °C

= -50 V,

= 0 V,

= 125 °C

= -25 V,

= 0 V,

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

GSS

-10

Ω

= -20 V,

= 0 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

= -10 V,

= -0.13 A

半导体集团

18/02/1997

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