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    BSS138 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138图片预览
    型号： BSS138
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SIPMOS小信号晶体管（ N沟道增强模式的逻辑电平） [SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 140 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS138的Datasheet PDF文件第8页  
    BSS 138
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    =
    ƒ
    (T
    j
    )
    参数：
    I
    D
    = 0.22 A,
    V
    GS
    = 10 V
    9
    栅极阈值电压
    V
    GS （ TH）
    =
    ƒ
    (T
    j
    )
    参数：
    V
    GS
    =
    V
    DS
    ,
    I
    D
    = 1毫安
    2.6
    V
    2.2
    Ω
    R
    DS （ ON）
    7
    6
    5
    V
    GS （ TH）
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    98%
    98%
    4
    3
    1.2
    1.0
    0.8
    典型值
    2%
    典型值
    2
    1
    0.2
    0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    °C
    160
    0.0
    -60
    -20
    20
    60
    100
    °C
    160
    0.6
    0.4
    T
    j
    T
    j
    典型值。电容
    C
    =
    f
    (V
    DS
    )
    参数： V
    GS
    =0V,
    f
    = 1兆赫
    10
    3
    反向二极管的正向特性
    I
    F
    =
    ƒ
    (V
    SD
    )
    参数：
    T
    j
    , t
    p
    = 80 µs
    10
    0
    pF
    C
    10
    2
    A
    I
    F
    10
    -1
    C
    国际空间站
    10
    1
    C
    OSS
    10
    -2
    T
    j
    = 25°C （典型值）
    C
    RSS
    T
    j
    = 150℃ （典型值）
    T
    j
    = 25 °C (98%)
    T
    j
    = 150 °C (98%)
    10
    0
    0
    10
    -3
    0.0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    V
    DS
    40
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    2.4
    V
    3.0
    V
    SD
    半导体集团
    7
    Sep-13-1996

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