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BSS123 参数 Datasheet PDF下载

BSS123图片预览
型号: BSS123
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内容描述: SIPMOS小信号三极管 [SIPMOS Small-Signal-Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 124 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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修订版1.41
9漏源导通电阻
R
DS ( ON)
=
f
(T
j
)
参数:
I
D
= 0.17 A,
V
GS
= 10 V
24
BSS123
BSS123
10典型。栅极阈值电压
V
GS ( TH)
=
f
( TJ )
参数:
V
GS
=
V
DS ;
I
D
=50µA
2.2
20
V
98%
1.8
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
18
16
14
1.6
1.4
1.2
典型值。
12
1
10
8
6
4
典型值
2
0
-60
-20
20
60
100
°C
2%
0.8
98%
0.6
0.4
0.2
180
0
-60
-20
20
60
100
T
j
°C
T
j
160
11典型。电容
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0,
f=1
兆赫,
T
j
= 25 °C
10
3
12前进的性格。反向二极管
I
F
=
f
(V
SD
)
参数:
T
j
10
0
BSS123
pF
A
10
2
C
C
OSS
10
1
I
F
10
-2
T
j
= 25°C (典型值)
C
国际空间站
10
-1
C
RSS
T
j
= 150℃ (典型值)
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
V
36
10
-3
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
DS
第6页
V
SD
2010-05-12