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BSP75N 参数 Datasheet PDF下载

BSP75N图片预览
型号: BSP75N
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内容描述: 智能低压侧电源开关 [Smart Lowside Power Switch]
分类和应用: 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关光电二极管PC
文件页数/大小: 14 页 / 255 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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HITFET
â
BSP 75N
传导敏感性
V
BB
脉冲
命中率。 47A / 658 / CD IEC 62132-4 (直接
功率注入)
R
L
BSP75N
IN
来源
直接功率注入:
前进动力
CW
失败条件:
振幅或频率
变化最大。在10 %
(典型值) 。 V
bb
易感性的DC -ON / OFF
和PWM
科幻gure 3
为ISO脉冲测试电路
40
35
传导发射
DBM
30
25
命中率。 IEC 61967-4 ( 1
/150
法)
(典型值) 。 V
bb
排放量在PWM模式与
150
-matching网络
100
90
80
70
60
50
噪音水平
BSP75N
150ohm Class6的
150ohm 1级
20
15
10
极限
OUT ,ON
OUT , OFF
OUT , PWM
5
0
1
10
100
1000
F / MHz的
dBμV的
150Ω
/
8-H
40
30
20
10
0
-10
-20
0,1
1
10
100
1000
V
BB
150Ω
/
13-N
BAN
BSP75N
R
L
F / MHz的
IN
来源
HF
V
BB
为进行药敏试验电路
BSP75N
IN
来源
150Ω-Network
1)
R
L
2)
2)
图4
为进行测试电路
发射
1)
8
用于定义德耦合和高再现性的
定义扼流圈( 5μH在1MHz )插入到
VBB线。
宽带人工网络(简称: BAN )由
相同的电抗器( 5μH在1MHz )和相同的
150欧姆的匹配网络作为发射
测量定义的去耦合和高
重现。
数据手册V1.0
2003-01-10