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BCV27 参数 Datasheet PDF下载

BCV27图片预览
型号: BCV27
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内容描述: NPN硅达林顿晶体管 [NPN Silicon Darlington Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 76 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BCV27 , BCV47
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
-
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCV27
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCV47
30
60
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
µA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 µA,
I
E
= 0, BCV27
I
C
= 100 µA,
I
E
= 0, BCV47
40
80
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 µA,
I
C
= 0
10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0, BCV27
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0, BCV47
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃, BCV27
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃, BCV47
-
-
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
-
-
0.1
0.1
10
10
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100 µA,
V
CE
= 1 V , BCV27
I
C
= 100 µA,
V
CE
= 1 V , BCV47
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V , BCV27
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V , BCV47
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 5 V , BCV27
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 5 V , BCV47
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V , BCV27
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V , BCV47
4000
2000
10000
4000
20000
10000
4000
2000
V
CESAT
V
BESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
- 0.1毫安
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
- 0.1毫安
1
脉冲
-
-
测试:吨< 300μS ; ð < 2 %
3
2007-04-20