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    BCP69 参数 Datasheet PDF下载

    BCP69图片预览
    型号： BCP69
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管自动对焦（一般自动对焦的应用高集电极电流高电流增益） [PNP Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 4 页 / 140 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BCP69的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BCP69的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCP69的Datasheet PDF文件第4页  
    BCP 69
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃，除非另有规定。
    参数
    符号
    分钟。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 30毫安，
    I
    B
    = 0
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10
    µ
    A,
    V
    BE
    = 0
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10
    µ
    A,
    I
    B
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10
    µ
    A,
    I
    B
    = 0
    集电极 - 基极截止电流
    V
    CB
    = 25 V
    V
    CB
    = 25 V,
    T
    A
    = 150 ˚C
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 5 V,
    I
    C
    = 0
    直流电流增益
    1)
    I
    C
    = 5毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 500毫安，
    V
    CE
    = 1 V
    V
    (BR)CE0
    V
    （ BR ） CES
    V
    (BR)CB0
    V
    (BR)EB0
    I
    CB0
    –
    –
    I
    EB0
    h
    FE
    BCP 69
    BCP 69-10
    BCP 69-16
    BCP 69-25
    V
    CESAT
    V
    BE
    –
    –
    0.6
    –
    –
    1
    50
    85
    85
    100
    160
    60
    –
    –
    –
    100
    160
    250
    –
    –
    –
    375
    160
    250
    375
    –
    0.5
    V
    –
    –
    –
    –
    100
    100
    100
    nA
    µ
    A
    nA
    –
    20
    25
    25
    5
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    V
    值
    典型值。
    马克斯。
    单位
    I
    C
    = 1 A,
    V
    CE
    = 1 V
    集电极 - 发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 1 A,
    I
    B
    = 100毫安
    基射极电压
    1)
    I
    C
    = 5毫安，
    V
    CE
    = 10 V
    I
    C
    = 1 A,
    V
    CE
    = 1 V
    AC特性
    跃迁频率
    I
    C
    = 100毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 100兆赫
    f
    T
    –
    100
    –
    兆赫
    1)
    脉冲测试条件：
    t
    ≤
    300
    µ
    s,
    D
    = 2 %.
    半导体集团
    2

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