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    BCP51-16 参数 Datasheet PDF下载

    BCP51-16图片预览
    型号： BCP51-16
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistors]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 5 页 / 50 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BCP51-16的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BCP51-16的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCP51-16的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCP51-16的Datasheet PDF文件第5页  
    BCP51...BCP53
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25 ° C，除非另有规定ED 。
    参数
    符号
    值
    分钟。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    45
    60
    80
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    20
    -
    nA
    µA
    -
    BCP51
    BCP52
    BCP53
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 100 µA,
    I
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CBO
    BCP51
    BCP52
    BCP53
    45
    60
    100
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CBO
    h
    FE
    h
    FE
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 µA,
    I
    C
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 30 V,
    I
    E
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 30 V,
    I
    E
    = 0 ,
    T
    A
    = 150 °C
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 5毫安，
    V
    CE
    = 2 V
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 150毫安，
    V
    CE
    = 2 V
    5
    -
    -
    25
    BCP51...53
    hFE-grp.10
    hFE-grp.16
    40
    63
    100
    h
    FE
    V
    CESAT
    V
    BE（上）
    -
    100
    160
    -
    -
    -
    250
    160
    250
    -
    0.5
    1
    V
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 500毫安，
    V
    CE
    = 2 V
    集电极 - 发射极饱和电压1 ）
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    基极 - 发射极电压1）
    I
    C
    = 500毫安，
    V
    CE
    = 2 V
    25
    -
    -
    AC特性
    跃迁频率
    I
    C
    = 50毫安，
    V
    CE
    = 10 V,
    f
    = 100兆赫
    1 ）脉冲测试：吨
    ≤=300µs,
    D = 2%
    f
    T
    -
    125
    -
    兆赫
    3
    Nov-29-2001

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