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BCP51-16 参数 Datasheet PDF下载

BCP51-16图片预览
型号: BCP51-16
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistors]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 6 页 / 498 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BCP51...-BCP53...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP51
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP52
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BCP53
45
60
80
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
µA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 µA,
I
E
= 0, BCP51
I
C
= 100 µA,
I
E
= 0, BCP52
I
C
= 100 µA,
I
E
= 0, BCP53
45
60
100
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 µA,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
h
FE
-
-
-
-
100
160
-
-
-
0.1
20
-
-
250
160
250
-
0.5
1
V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP53-10
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 2 V , BCP51-16 ... BCP53-16
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE(上)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 2 V
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
-
125
-
兆赫
测试:吨< 300μS ; ð < 2 %
3
2008-10-10