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    BC858B 参数 Datasheet PDF下载

    BC858B图片预览
    型号： BC858B
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    内容描述： PNP硅晶体管自动对焦（ AF对于输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 发射极饱和电压） [PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)]
    分类和应用： 晶体驱动器晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 275 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第8页  
    公元前856 ...公元前860
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃，除非另有规定。
    参数
    符号
    分钟。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安
    公元前856
    公元前857 ，公元前860
    公元前858 ，公元前859
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10
    µ
    A
    公元前856
    公元前857 ，公元前860
    公元前858 ，公元前859
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10
    µ
    A,
    V
    BE
    = 0
    公元前856
    公元前857 ，公元前860
    公元前858 ，公元前859
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 1
    µ
    A
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 30 V
    V
    CB
    = 30 V,
    T
    A
    = 150 ˚C
    直流电流增益
    I
    C
    = 10
    µ
    A,
    V
    CE
    = 5 V
    公元前856 ...公元前859一
    公元前856 B ...公元前860 B
    公元前857 ç ...公元前860 ç
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    公元前856 ...公元前859一
    公元前856 B ...公元前860 B
    公元前857 ç ...公元前860 ç
    集电极 - 发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安，
    I
    B
    = 5毫安
    基射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100毫安，
    I
    B
    = 5毫安
    基射极电压
    I
    C
    = 2毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    I
    C
    = 10毫安，
    V
    CE
    = 5 V
    1)
    脉冲
    值
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    (BR)CE0
    65
    45
    30
    V
    (BR)CB0
    80
    50
    30
    V
    （ BR ） CES
    80
    50
    30
    V
    (BR)EB0
    I
    CB0
    –
    –
    h
    FE
    –
    –
    –
    125
    220
    420
    V
    CESAT
    –
    –
    V
    BESAT
    –
    –
    V
    BE（上）
    600
    –
    650
    –
    750
    820
    700
    850
    –
    –
    75
    250
    300
    650
    140
    250
    480
    180
    290
    520
    –
    –
    –
    250
    475
    800
    1
    –
    15
    4
    5
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    V
    nA
    µ
    A
    –
    mV
    测试：
    t
    ≤
    300
    µ
    s,
    D
    = 2 %.
    半导体集团
    3

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