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BC857B 参数 Datasheet PDF下载

BC857B图片预览
型号: BC857B
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 221 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BC856...BC860
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 µA,
V
BE
= 0
BC856
BC857/860
BC858/859
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 µA,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 10 µA,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
直流电流增益1 )
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
V
BE(上)
600
-
650
-
750
820
V
BESAT
-
-
700
850
-
-
V
CESAT
-
-
75
250
300
650
h
FE
125
220
420
180
290
520
250
475
800
h
FE
-
-
-
140
250
480
-
-
-
I
CBO
-
-
5
I
CBO
-
-
15
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CES
80
50
30
5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
µA
-
mV
1 )脉冲测试:吨
≤=
300
µ
S,D = 2 %
3
Dec-11-2001