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型号: BC856B
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦( AF对于输入级和驱动器应用高电流增益低集电极 - 发射极饱和电压) [PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)]
分类和应用: 晶体驱动器晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 275 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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公元前856 ...公元前860
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
CB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ç ...公元前860 ç
开路反向电压传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ç ...公元前860 ç
短路正向电流传输比
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ç ...公元前860 ç
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
公元前856 ...公元前859一
公元前856 B ...公元前860 B
公元前857 ç ...公元前860 ç
噪声系数
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 kΩ
f
= 30 Hz的... 15千赫
公元前859
公元前860
公元前859
f
= 1千赫,
f
= 200赫兹
公元前860
等效噪声电压
I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 kΩ
f
= 10赫兹... 50赫兹
公元前860
半导体集团
4
典型值。
马克斯。
单位
f
T
C
敖包
C
IBO
h
11e
250
3
8
兆赫
pF
kΩ
2.7
4.5
8.7
10
– 4
1.5
2.0
3.0
200
330
600
µ
S
h
12e
h
21e
h
22e
F
V
n
1.2
1.0
1.0
1.0
4
3
4
4
0.110
18
30
60
dB
µ
V