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BC847CW 参数 Datasheet PDF下载

BC847CW图片预览
型号: BC847CW
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内容描述: NPN硅晶体管自动对焦 [NPN Silicon AF Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 233 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BC846W...BC850W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
h
12e
-
-
-
h
21e
-
-
-
h
22e
-
-
-
-
18
30
60
-
-
-
-
10
200
330
600
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
-
-
-
250
2
10
-
3
15
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
F
BC848W
噪声系数
I
C
= 200 µA,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
等效噪声电压
I
C
= 200 µA,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 10 ... 50赫兹
F
BC849W
BC850W
V
n
BC850W
-
-
-
1.2
1
-
4
4
0.135 µV
4
Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
噪声系数
I
C
= 200 µA,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
BC846W
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
BC847W
10
-4
-
dB

S
k