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    BC817-25 参数 Datasheet PDF下载

    BC817-25图片预览
    型号： BC817-25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管自动对焦 [NPN Silicon AF Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 860 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第9页  
    BC817.../BC818...
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃ ，除非另有说明
    符号
    值
    单位
    参数
    分钟。
    典型值。马克斯。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    V
    （ BR ） CEO
    V
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0， BC817 ...
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0， BC818 ...
    45
    25
    V
    （ BR ） CBO
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    µA
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA,
    I
    E
    = 0， BC817 ...
    I
    C
    = 10 µA,
    I
    E
    = 0， BC818 ...
    50
    30
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 µA,
    I
    C
    = 0
    5
    集电极 - 基极截止电流
    V
    CB
    = 25 V,
    I
    E
    = 0
    V
    CB
    = 25 V,
    I
    E
    = 0 ,
    T
    A
    = 150 °C
    -
    -
    I
    EBO
    h
    FE
    -
    -
    -
    0.1
    50
    100
    nA
    -
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 4 V,
    I
    C
    = 0
    -
    直流电流增益
    1)
    I
    C
    = 100毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.16
    I
    C
    = 100毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.25
    I
    C
    = 100毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.40
    I
    C
    = 300毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.16
    2)
    I
    C
    = 300毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.25
    2)
    I
    C
    = 300毫安，
    V
    CE
    = 1 V,
    h
    FE
    -grp.40
    2)
    I
    C
    = 500毫安，
    V
    CE
    = 1 V ，所有
    h
    FE
    -grps 。
    3)
    100
    160
    250
    60
    100
    170
    40
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    160
    250
    350
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    250
    400
    630
    -
    -
    -
    -
    0.7
    1.2
    V
    集电极 - 发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    基极发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    1
    脉冲
    -
    -
    测试：吨< 300μS ; ð < 2 ％
    2
    对于所有BC817和BC818亚型
    3
    对于所有BC817K和BC818K亚型
    3
    2008-04-11

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