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    BC817-25 参数 Datasheet PDF下载

    BC817-25图片预览
    型号： BC817-25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管自动对焦 [NPN Silicon AF Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 50 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第5页  
    BC817 ， BC818
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25 ° C，除非另有规定ED 。
    参数
    符号
    值
    分钟。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安，
    I
    B
    = 0
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 10 µA,
    I
    E
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    = 10 µA,
    I
    C
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 25 V,
    I
    E
    = 0
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 25 V,
    I
    E
    = 0 ,
    T
    A
    = 150 °C
    发射Cuto FF电流
    V
    EB
    = 4 V,
    I
    C
    = 0
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 100毫安，
    V
    CE
    = 1 V
    h
    FE
    -grp 。
    16
    h
    FE
    -grp 。
    25
    h
    FE
    -grp 。
    40
    直流电流增益1 ）
    I
    C
    = 300毫安，
    V
    CE
    = 1 V
    h
    FE
    -grp 。
    16
    h
    FE
    -grp 。
    25
    h
    FE
    -grp 。
    40
    集电极 - 发射极饱和电压1 ）
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    基极 - 发射极饱和电压1）
    I
    C
    = 500毫安，
    I
    B
    = 50毫安
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    h
    FE
    h
    FE
    I
    EBO
    I
    CBO
    I
    CBO
    V
    （ BR ） CEO
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    45
    25
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    50
    100
    nA
    µA
    nA
    -
    100
    160
    250
    160
    250
    350
    250
    400
    630
    BC817
    BC818
    V
    （ BR ） CBO
    BC817
    BC818
    V
    （ BR ） EBO
    50
    30
    5
    -
    -
    -
    60
    100
    170
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.7
    1.2
    V
    1 ）脉冲测试：吨
    ≤
    300μS ，D = 2％
    2
    Nov-29-2001

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