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    BC807-25 参数 Datasheet PDF下载

    BC807-25图片预览
    型号： BC807-25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管自动对焦（一般自动对焦的应用高集电极电流高电流增益） [PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current High current gain)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 5 页 / 135 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BC807-25的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC807-25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC807-25的Datasheet PDF文件第5页  
    公元前807
    公元前808
    电气特性
    at
    T
    A
    = 25℃，除非另有规定。
    参数
    符号
    分钟。
    DC特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    = 10毫安
    公元前807
    公元前808
    集电极 - 基极击穿电压
    I
    C
    = 100
    µ
    A
    公元前807
    公元前808
    发射极 - 基极击穿电压，
    I
    E
    = 10
    µ
    A
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CB
    = 25 V
    V
    CB
    = 25 V,
    T
    A
    = 150 ˚C
    发射极截止电流，
    V
    EB
    = 4 V
    直流电流增益
    1)
    I
    C
    = 100毫安;
    V
    CE
    = 1 V
    公元前807-16 ，公元前808-16
    公元前807-25 ， 808-25 BC
    公元前807-40 ，公元前808-40
    I
    C
    = 300毫安;
    V
    CE
    = 1 V
    公元前807-16 ，公元前808-16
    公元前807-25 ， 808-25 BC
    公元前807-40 ，公元前808-40
    集电极 - 发射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 500毫安;
    I
    B
    = 50毫安
    基射极饱和电压
    1)
    I
    C
    = 500毫安;
    I
    B
    = 50毫安
    AC特性
    跃迁频率
    I
    C
    = 50毫安，
    V
    CE
    = 5 V,
    f
    = 20 MHz的
    输出电容
    V
    CB
    = 10 V,
    f
    = 1兆赫
    输入电容
    V
    EB
    = 0.5 V,
    f
    = 1兆赫
    1)
    值
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    (BR)CE0
    45
    25
    V
    (BR)CB0
    50
    30
    V
    (BR)EB0
    I
    CB0
    –
    –
    I
    EB0
    h
    FE
    100
    160
    250
    60
    100
    170
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    –
    –
    160
    250
    350
    –
    –
    –
    –
    –
    250
    400
    630
    –
    –
    –
    0.7
    2
    –
    –
    –
    –
    100
    50
    100
    5
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    V
    nA
    µ
    A
    nA
    –
    V
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    –
    –
    –
    200
    10
    60
    –
    –
    –
    兆赫
    pF
    脉冲测试：
    t
    ≤
    300
    µ
    s,
    D
    ≤
    2 %.
    半导体集团
    3

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