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BC807-25 参数 Datasheet PDF下载

BC807-25图片预览
型号: BC807-25
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内容描述: PNP硅晶体管自动对焦 [PNP Silicon AF Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 111 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BC807.../BC808...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC807 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC808 ...
45
25
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
µA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 µA,
I
E
= 0, BC807 ...
I
C
= 10 µA,
I
E
= 0, BC808 ...
50
30
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 µA,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
0.1
50
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
-grp 。 16
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
-grp 。 25
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
GRP 。 40
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
100
160
250
40
V
CESAT
V
BESAT
160
250
350
-
-
-
250
400
630
-
0.7
1.2
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
1
脉冲
-
-
测试:吨< 300μS ; ð < 2 %
3
2007-06-08