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BAV199 参数 Datasheet PDF下载

BAV199图片预览
型号: BAV199
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内容描述: 硅低漏二极管 [Silicon Low Leakage Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 6 页 / 73 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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BAV199...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
85
-
-
V
击穿电压
V
( BR )
I
( BR )
= 100 µA
反向电流
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V,
T
A
= 150 °C
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 10毫安,
I
R
= 10 mA时,测定
I
R
= 1mA时,
R
L
= 100
反向恢复时间测试电路
D.U.T.
I
R
-
-
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
900
1000
1100
1250
-
-
5
80
nA
mV
C
T
t
rr
-
-
2
0.6
-
1.5
pF
µs
脉冲发生器:
t
p
= 10µs,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ,
R
i
= 50Ω
示波器
Ι
F
示波器:
R
= 50Ω,
t
r
= 0.35ns ,
C
1pF
EHN00019
2
2007-04-19