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IRF7105TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF7105TRPBF图片预览
型号: IRF7105TRPBF
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内容描述: [Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8]
分类和应用: 开关脉冲光电二极管晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 307 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IRF7105PbF  
P-Channel  
VDS , Drain-to-Source Voltage ( V )  
VSD , Source-to-Drain Voltage ( V )  
Fig 19. Maximum Safe Operating Area  
Fig 18. Typical Source-Drain Diode  
Forward Voltage  
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
-
+
VDD  
-10V  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 21a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
TA , Ambient Temperature ( °C )  
90%  
Fig 20. Maximum Drain Current Vs.  
Ambient Temperature  
Current Regulator  
Same Type as D.U.T.  
10%  
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
50KΩ  
Fig 21b. Switching Time Waveforms  
.2µF  
12V  
.3µF  
-
V
+
DS  
Q
G
D.U.T.  
-10V  
V
GS  
Q
Q
GD  
GS  
-3mA  
V
G
I
I
D
G
Current Sampling Resistors  
Charge  
Fig 22a. Gate Charge Test Circuit  
Fig 22b. Basic Gate Charge Waveform  
www.irf.com  
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