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    BTT6200-4ESA 参数 Datasheet PDF下载

    BTT6200-4ESA图片预览
    型号： BTT6200-4ESA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The device is integrated in Smart6 HV technology. It is specially designed to drive lamps up to R10 W 24 V or R5 W 12 V, as well as LEDs in the harsh automotive environment.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 51 页 / 1248 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第34页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第35页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第36页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第37页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第39页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第40页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第41页浏览型号BTT6200-4ESA的Datasheet PDF文件第42页  
    ™
    PROFET + 24V  
    BTT6200-4ESA  
    Diagnostic functions  
    Table 10  
    Electrical characteristics: Diagnostics (continued)  
    VS = 8 V to 36 V, TJ = -40°C to 150°C (unless otherwise specified).  
    Typical values are given at VS = 28 V, TJ = 25°C  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Typ.  
    –
    Unit Note or Test  
    Condition  
    Number  
    Min.  
    Max.  
    20  
    Current sense settling time from tsIS(ChC)  
    one channel to another  
    –
    µs  
    VIN0 = VIN1 = 4.5 V  
    VDEN = 4.5 V  
    P_7.5.26  
    VDSEL = 0 to 4.5 V  
    RIS = 1.2 kΩ  
    CSENSE < 100 pF  
    IL(OUT0) = IL3 = 0.5 A  
    IL(OUT1) = L2  
    I = 0.2 A  
    See Figure 23  
    Datasheet  
    38  
    Rev. 1.00  
    2019-03-09  

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