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    BFR181W_10 参数 Datasheet PDF下载

    BFR181W_10图片预览
    型号： BFR181W_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管RF [NPN Silicon RF Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 506 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号BFR181W_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BFR181W_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFR181W_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFR181W_10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFR181W_10的Datasheet PDF文件第6页  
    BFR181W
    Electrical Characteristics
    at
    T
    A
    = 25°C, unless otherwise specified
    Symbol
    Values
    Parameter
    min.
    DC Characteristics
    Collector-emitter breakdown voltage
    I
    C
    = 1 mA,
    I
    B
    = 0
    Collector-emitter cutoff current
    V
    CE
    = 20 V,
    V
    BE
    = 0
    Collector-base cutoff current
    V
    CB
    = 10 V,
    I
    E
    = 0
    Emitter-base cutoff current
    V
    EB
    = 1 V,
    I
    C
    = 0
    DC current gain
    I
    C
    = 5 mA,
    V
    CE
    = 8 V, pulse measured
    h
    FE
    70
    100
    140
    -
    I
    EBO
    -
    -
    1
    µA
    I
    CBO
    -
    -
    100
    nA
    I
    CES
    -
    -
    100
    µA
    V
    (BR)CEO
    12
    -
    -
    V
    typ.
    max.
    Unit
    2
    2010-10-08

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