IMP525
引脚配置
SO / MICROSO
V
DD
R
SW- OSC
C
S
L
X
1
2
3
4
IMP525
8
7
6
5
R
EL- OSC
V
A
V
B
GND
525_02.eps
订购信息
产品型号
IMP525EMA
IMP525ESA
IMP525/D
输入电压
0.9V至2.5V
0.9V至2.5V
0.9V至2.5V
稳压输出电压
是的
是的
是的
温度范围
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
25°C
销，包
8-MicroSO
8-SO
骰子
绝对最大额定值
电源电压，V
DD
, V
RSW -OSC
和V
REL -OSC
。 。 - 0.5V至+ 3.5V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
功率耗散（ SO封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
功率耗散（ MICROSO包） 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
注：所有电压都参考GND 。
这些仅仅是极限参数和功能操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值为延长时间周期可以
影响器件的可靠性。
电气特性
除非另有说明，V
DD
= 1.5V ，R
SW
= 1MΩ ，R
EL
= 1.0MΩ ，和T
A
= 25°C.
参数
导通电阻的MOS开关的
工作电压
输出电压位于C
S
输出电压位于C
S
输出电压峰 - 峰值
静态V
DD
电源电流，禁用
（只禁用引脚可模）
静态V
DD
电源电流，禁用
输入电流在V
DD
针
输入电流：I
DD
加上电感电流
V
A-B
输出驱动频率
升压转换器开关频率
开关占空比
禁止输入低电压
（只禁用引脚可模）
禁止输入高电压
（只禁用引脚可模）
符号
R
DS （ ON）
V
CS
V
CS
V
A
-V
B
I
每季派息
I
每季派息
I
DD
I
IN
f
EL
f
SW
D
SW
V
DISL
V
DISH
条件
I = 50毫安
V
DD
= 1.5V ，见图1 ，表1
V
DD
= 0.9V ，见图1 ，表2
V
DD
= 1.5V ，见图1
禁用=高
R
SW- OSC
= GND
V
DD
= 1.5V
V
DD
= 0.9V至1.5V
V
DD
= 1.5V
V
DD
= 1.5V ，见图1 ，表1
V
DD
= 1.5V ，见图1 ，表1
V
DD
= 1.5V ，见图1
民
0.9
52
104
典型值
58
50
112
70
1.0
最大
15
2.5
65
124
单位
Ω
V
V
V
V
P-P
nA
µA
mA
mA
Hz
千赫
%
V
V
2.0
1.5
32
23
500
26
87.5
GND
V
DD
-0.5V
0.2
V
DD
2
IMP [ IMP, INC ]
