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    C1210 参数 Datasheet PDF下载

    C1210图片预览
    型号： C1210
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 流程C1210 CMOS 1.2毫米零门槛的设备 [Process C1210 CMOS 1.2mm Zero Threshold Devices]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 37 K
    品牌： IMP [ IMP, INC ]
     浏览型号C1210的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C1210的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C1210的Datasheet PDF文件第4页  
    ®
    ISO 9001认证
    流程C1210
    1.2μm的CMOS
    零门槛的设备
    电气特性
    N沟道晶体管
    阈值电压
    身体因素
    传导因子
    有效沟道长度
    宽度侵占
    穿通电压
    保利场阈值电压
    零佛蒙特州N沟道利用Transis 。
    阈值电压
    身体因素
    传导因子
    饱和电流
    符号
    VT
    N
    γ
    N
    β
    N
    莱夫
    N
    ∆W
    N
    BVDSS
    N
    VTF
    P（ N）
    符号
    VT
    ZLN
    γ
    ZLN
    β
    ZLN
    I
    DSATZN
    最低
    0.55
    64
    0.8
    9
    10
    最低
    0.00
    75
    28
    典型
    0.15
    0.348
    90
    34
    典型
    0.75
    0.34
    75
    1.0
    0.6
    T=25
    o
    C除非另有说明
    最大
    单位
    评论
    0.95
    V
    100x1.2µm
    1/2
    V
    100x1.2µm
    2
    86
    μA / V
    100x100µm
    1.2
    µm
    100x1.2µm
    µm
    每面
    V
    V
    最大
    0.30
    105
    40
    单位
    V
    V
    1/2
    μA / V
    2
    mA
    评论
    100x100µm
    100x100µm
    100x100µm
    100x1.5µm
    P沟道晶体管
    阈值电压
    身体因素
    传导因子
    有效沟道长度
    宽度侵占
    穿通电压
    保利场阈值电压
    符号
    VT
    P
    γ
    P
    β
    P
    莱夫
    P
    ∆W
    P
    BVDSS
    P
    VTF
    P(P)
    最低
    –0.7
    21
    0.9
    –9.0
    –10.0
    典型
    –0.9
    0.38
    25
    1.1
    0.8
    最大
    –1.1
    29
    1.3
    单位
    V
    V
    1/2
    μA / V
    2
    µm
    µm
    V
    V
    评论
    100x1.2µm
    100x1.2µm
    100x100µm
    100x1.2µm
    每面
    零佛蒙特州P沟道利用Transis 。
    阈值电压
    身体因素
    传导因子
    饱和电流
    符号
    VT
    ZLP
    γ
    ZLP
    β
    ZLP
    I
    DSATZP
    最低
    –0.3
    21
    –11
    典型
    –0.1
    0.36
    26
    –15
    最大
    0.1
    31
    –19
    单位
    V
    V
    1/2
    μA / V
    2
    mA
    评论
    100x100µm
    100x100µm
    100x100µm
    100x1.5µm
    ©进出口公司
    47

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