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C1004 参数 Datasheet PDF下载

C1004图片预览
型号: C1004
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内容描述: 流程C1004 [Process C1004]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 34 K
品牌: IMP [ IMP, INC ]
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流程C1004
物理特性
起始原料
开始垫。抵抗力
典型值。工作电压
井式
金属层
保利图层
联系尺码
通过尺寸
金属- 1宽/空间
金属- 2宽/空间
多晶硅栅宽/空间
P <100>
7-8.5
Ω -厘米
5V
N阱
2
1
1.2x1.2µm
1.2x1.2µm
1.4 / 1.2µm
2.0 / 1.4µm
1.0 / 1.4µm
N + / P +宽/空间
N +要P +空格
联系保利空间
联系方式重叠扩散
联系重叠聚
金属- 1重叠联系
金属- 1的重叠通过
金属-2重叠中通过
最小焊盘开幕
最小焊盘到焊盘间距
最小焊盘间距
2.0 / 1.2µm
7.0µm
0.8µm
0.7µm
0.7µm
0.7µm
0.7µm
0.7µm
65x65µm
5.0µm
80.0µm
金属2
金属1
SIO
2
LTO
LTO
n
+
p
+
场氧化
n
+
p
+
p
+
n
+
基底接触
多晶硅栅
多晶硅栅
来源
来源
N阱接触
N阱
p
EPI
p
+
基板
侧墙
号VS性病, W / L = 20 / 1.2
35.0
VGS = 5.0V
–15.0
号VS性病, W / L = 20 / 1.2
VGS = -5.0V
漏极电流(mA )I
DS
漏极电流(mA )I
DS
28.0
VGS = 4.0V
–12.0
VGS = -4.0V
–9.0
21.0
VGS = 3.0V
14.0
VGS = 2.0V
7.0
VGS = 1.0V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
漏极电压( V)
DS
20 / 1.2设备的N沟道晶体管的IV特性
–6.0
p
通道停止
联系
LDD
p
p
VGS = -3.0V
–3.0
VGS = -2.0V
0
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
0
漏极电压( V)
DS
20 / 1.2设备的P沟道晶体管的IV特性
18
C1004-4-98