IDT71V016SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于
V
SS
端电压相对
到V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3834 TBL 04
o
o
C
C
W
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
(1)
V
DD
(2)
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
–0.3
(4)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
3.6
0
V
DD
+0.3
(3)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3834 TBL 05
3834 TBL 03
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.只71V016SA10 。
2.对所有速度等级，除了71V016SA10 。
3. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
4. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
3834 TBL 06
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
IDT71V016SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
µA
µA
V
V
3834 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1,2)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V016SA10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
≤
V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
动态待机电源电流
CS
≥
V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
全部备用电源电流（静态）
CS
≥
V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(3)
马克斯。
典型值。
(4)
Com'l只有
160
125
45
10
71V016SA12
Com'l
150
120
40
10
IND
160
--
45
10
71V016SA15
Com'l
130
110
35
10
IND
130
--
35
10
71V016SA20
Com'l
120
110
30
10
IND
120
--
30
10
单位
mA
I
SB
I
SB1
mA
mA
3834 TBL 08
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
- 0.2V （高） 。
3. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
4.典型值在3.3V测定， 25 ℃，用相等的读写周期。
6.42
3
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
