3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
特点
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IDT71V016SA
描述
该IDT71V016是组织了1,048,576位高速静态RAM
为64K ×16。它是采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71V016有一个输出使能引脚，运行速度
为5ns的，有地址的访问时间以最快的速度为10ns 。所有双向
该IDT71V016的输入和输出都是LVTTL兼容和操作
是从一个单一的3.3V电源。全静态异步电路时，
无需时钟或刷新操作。
该IDT71V016封装在一个JEDEC标准44引脚塑料
SOJ ，一个44针TSOP II型和48球的塑料7× 7毫米FBGA 。
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64K ×16的先进的高速CMOS静态RAM
平等的机会和周期时间
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业：12 /15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
LVTTL兼容
通过芯片取消低功耗
上下字节使能引脚
单3.3V电源
采用44引脚塑料SOJ ， 44引脚TSOP和
48个塑料球FBGA封装
功能框图
产量
启用
卜FF器
OE
A
0
– A
15
地址
缓冲器
行/列
解码器
I / O
15
芯片
启用
卜FF器
SENSE
安培
和
写
DRIVERS
8
低
字节
I / O
卜FF器
8
8
高
字节
I / O
卜FF器
8
CS
I / O
8
WE
写
启用
卜FF器
64K ×16
内存
ARRAY
16
I / O
7
I / O
0
BHE
字节
启用
缓冲器
BLE
3834 DRW 01
2002年6月
1
©2000集成设备技术有限公司
DSC-3834/06
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
