ICS501
LOCO ™ PLL时钟乘法器
时钟乘法器
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC，该ICS501
必须从系统的电源噪声隔离，以执行
最佳状态。
0.01μF的去耦电容必须连接
之间的VDD和GND 。必须紧密相连
该ICS501尽量减少引线电感。无需外接电源
供给滤波所需的ICS501 。
晶体负载电容
芯片上的总电容约为12pF的。一
并联谐振，基本模式晶体应该是
使用。该器件晶振连接应包括垫
对于小的电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上所需
晶体负载电容。由于负载电容
仅在此修整过程中被增加，重要的是要
保持杂散电容为最小通过使用非常短的
PCB走线（无孔）的晶体和器件之间。
晶电容器，如果需要的话，必须从每个已连接的
销X1和X2的接地。
这些水晶瓶盖应等于的值（单位为pF ） （C
L
-12
pF的）* 2 。在这个方程，C
L
=在pF的晶体负载电容。
例如：对于具有16 pF负载电容的晶体，每
晶电容器将是8 pF的[（ 16-12 ） ×2 = 8] 。
系列终端电阻
一个33Ω终端电阻，可以使用旁边的CLK引脚
对走线长度超过一英寸。
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS501永久性损坏。这些评价，这是
对于IDT商业额定零件标准值，只是应力额定值。该器件在功能操作
以上这些在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间会影响产品的可靠性。电动
参数都保证只在推荐的工作温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-65到+ 150°C
260° C
推荐工作条件
参数
工作环境温度（商业）
工作环境温度（工业）
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
-40
+3.0
典型值。
马克斯。
+70
85
+5.25
单位
°
C
°
C
V
IDT ™ / ICS ™
LOCO ™ PLL时钟乘法器
3
ICS501
转速r 051310
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
