ICS501B
LOCO ™ PLL时钟乘法器
时钟乘法器
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC，该
ICS501B必须从系统的电源隔离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
之间的VDD和GND 。必须紧密相连
到ICS501B ，以尽量减少引线电感。没有
外部电源滤波所需的
ICS501B.
并联谐振，基本模式晶体应该是
使用。该器件晶振连接应包括
垫，用于小电容从X1到地面，并从
X 2接地。这些电容器用于调节
电路板的寄生电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中，要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线（无孔）
晶体和器件之间。水晶电容，如果
需要的话，必须从各个销X1的连接
和X2接地。
这些水晶瓶盖应等于的值（单位为pF ） （C
L
-12 pF的）* 2 。在这个方程，C
L
=晶体负载电容
单位为pF 。例如：对于具有16 pF负载晶体
电容，每个电容的晶体将8 pF的
[(16-12) x 2] = 8.
系列终端电阻
一个33Ω终端电阻，可以使用旁边的CLK
引脚走线长度超过一英寸。
晶体负载电容
芯片上的总电容约为12pF的。一
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS501B永久性损坏。这些评价，
这对于IDT商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-40至+ 85°C
-65到+ 150°C
260° C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
+3.14
典型值。
马克斯。
+70
+5.25
单位
°
C
V
IDT ™ / ICS ™
LOCO ™ PLL时钟乘法器
3
ICS501B
F版051310
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
