IDT49FCT805/806/A
快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
∆I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
FO = 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
=V
CC
周一输出切换
V
CC
=最大。
输出打开
FO = 2.5MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND
十一输出
切换
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
1.0
0.15
马克斯。
2.5
0.20
单位
mA
毫安/
兆赫/位
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.5
2.5
mA
—
2.0
3.8
—
4.1
6.0
(5)
—
5.1
8.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入; （V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
∆I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
O
N
O
)
I
CC
=静态电流（I
CCL ，
I
CCH
我
CCZ
)
∆I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
O
=输出频率
N
O
输出数=在f
O
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2574 TBL 06
9.1
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
