IDT49FCT3805B
3.3V CMOS缓冲器/时钟驱动器
商用和工业温度范围
电源特性
符号
∆I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= V
CC –
0.6V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND
每个输出切换
占空比为50％
I
C
总电源电流
(6)
V
CC
=最大。
输出打开
f
O
= 25MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= V
CC
周一输出切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
O
= 50MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND
十一输出切换
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
典型值是在V
CC
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
每TTL驱动输入（V
IN
= V
CC
-0.6V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
值对于这些条件是我的例子
C
公式。这些限制保证，但未经测试。
6.
I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
∆I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
O
N
O
)
I
CC
=静态电流（I
CCL
, I
CCH
我
CCZ
)
∆I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
I
N
= V
CC
-0.6V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
O
=输出频率
N
O
输出数=在f
O
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
测试条件
(1)
分钟。
—
典型值。
(2)
10
0.035
马克斯。
30
0.06
单位
µA
毫安/ MHz的
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC –
0.6V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC –
0.6V
V
IN
= GND
—
0.9
1.6
—
0.9
1.6
—
20
33
(5)
mA
—
20
33
(5)
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
