IDT2305B
3.3V零延迟时钟缓冲器
商用和工业温度范围
典型的占空比
(1)
我
DD
趋势
(2)
FOR IDT2305B - 1H
占空比VS V
DD
（为30pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
60
58
56
占空比VS V
DD
（为10pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
占空比（ ％ ）
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
33MHz
66MHz
100MHz
占空比（ ％ ）
54
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
33MHz
66MHz
100MHz
133MHz
V
DD
(V)
占空比与频率
（为30pF的负载过温 - 3.3V ）
60
58
56
60
58
56
V
DD
(V)
占空比与频率
（为10pF的负载过温 - 3.3V ）
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
频率（MHz）
I
DD
VS加载输出数
（为30pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
160
140
120
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0
2
频率（MHz）
I
DD
VS加载输出数
（为10pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
I
DD
（MA ）
I
DD
（MA ）
80
60
40
20
0
33MHz
66MHz
100MHz
33MHz
66MHz
100MHz
4
6
8
加载输出数
加载输出数
注意事项：
1.占空比是从1.4V时测得的典型芯片。
2. I
DD
数据从IDD = ICORE + nCVf ，其中ICORE是无负载电流计算出。输出（ N =人数;每路输出C =电容负载（ F） ; V =电源电压（ V） ;
F =频率（Hz ） ）
9
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
