IDT2305B
3.3V零延迟时钟缓冲器
商用和工业温度范围
典型的占空比
(1)
我
DD
趋势
(2)
FOR IDT2305B - 1H
占空比VS V
DD
(为30pF的负载在频率 - 3.3V ,25°C )
60
58
56
60
58
56
占空比VS V
DD
(为10pF的负载在频率 - 3.3V ,25°C )
占空比( % )
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
33MHz
66MHz
100MHz
占空比( % )
54
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
33MHz
66MHz
100MHz
133MHz
V
DD
(V)
占空比与频率
(为30pF的负载过温 - 3.3V )
60
58
56
60
58
56
V
DD
(V)
占空比与频率
(为10pF的负载过温 - 3.3V )
占空比( % )
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
占空比( % )
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
频率(MHz)
I
DD
VS加载输出数
(为30pF的负载在频率 - 3.3V ,25°C )
160
140
120
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0
2
频率(MHz)
I
DD
VS加载输出数
(为10pF的负载在频率 - 3.3V ,25°C )
I
DD
(MA )
I
DD
(MA )
80
60
40
20
0
33MHz
66MHz
100MHz
33MHz
66MHz
100MHz
4
6
8
加载输出数
加载输出数
注意事项:
1.占空比是从1.4V时测得的典型芯片。
2. I
DD
数据从IDD = ICORE + nCVf ,其中ICORE是无负载电流计算出。输出( N =人数;每路输出C =电容负载( F) ; V =电源电压( V) ;
F =频率(Hz ) )
9