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    1338-18DVGI8 参数 Datasheet PDF下载

    1338-18DVGI8图片预览
    型号： 1338-18DVGI8
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    内容描述： 带电池备份非易失性RAM实时时钟 [REAL-TIME CLOCK WITH BATTERY BACKED NON-VOLATILE RAM]
    分类和应用： 计时器或实时时钟电池微控制器和处理器外围集成电路光电二极管PC
    文件页数/大小： 23 页 / 433 K
    品牌： IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
     浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号1338-18DVGI8的Datasheet PDF文件第9页  
    IDT1338
    带电池备份非易失性RAM实时时钟
    RTC
    ESR （等效串联电阻）
    选择低ESR的结晶。低ESR帮助
    晶体启动并稳定到正确的输出
    更快的频率比较高ESR晶体。
    在此分离岛的振荡器电路在本地。该
    接地连接的负载电容和
    振荡器必须连接到这个岛上。
    PCB布局
    频率容差
    频率容差为32 kHz的晶振应
    在额定温度（ + 25 ° C）的结晶指定
    制造商的数据表。与IDT1338使用的晶体
    通常具有+/- 20ppm的在+ 25 ℃的频率容差。
    使用规格为典型的32kHz晶振我们
    设备示于下表中。
    参数
    标称频率。
    串联电阻
    负载电容
    符号
    f
    O
    ESR
    C
    L
    民
    典型值
    32.768
    最大单位
    千赫
    50
    kΩ
    pF
    PCB组装，焊接和清洗
    电路板组装生产工艺和装配质量
    可影响32千赫振荡器的性能。
    根据所用的熔剂材料，焊接工艺
    可留在PCB表面关键残基。高
    湿度和温度快速循环，导致湿度
    缩合在印刷电路板可以创建
    过程残差。这些过程残差引起
    朝向敏感振荡器信号线的绝缘
    在PCB上的相互相邻的信号降低。
    高湿度会导致对水分凝结
    在PCB的表面，并与工艺残差，
    降低电路板的表面电阻率。助焊剂残留物上
    董事会可能会导致漏电流路径，特别是在
    潮湿的环境中。因此，彻底的PCB清洗
    强烈推荐以达到最大
    从板卸下后，助焊剂残留物的性能
    装配。在振荡器一般情况下，减少的损失
    电路导致更好的安全余量和可靠性。
    12.5
    PCB设计考虑
    •
    IDT器件引脚和晶体之间的信号线
    必须保持尽可能的短。这最大限度地减小
    寄生电容和灵敏度串扰和
    EMI。注意，跟踪电容中发挥作用
    有效晶体负载电容的计算。
    •
    数据线和频繁的开关信号线应
    布线尽量远离晶振连接的
    可能。从这些信号串扰干扰
    振荡器信号。
    •
    减少X1和X2之间的寄生电容
    通过路由他们相距甚远越好信号。
    •
    振荡回路的电流的晶体和之间流动
    负载电容。该信号通路（晶体CL1到
    CL2晶体）应保持尽可能短，并
    最好是对称的。接地连接两个
    电容应尽量靠近在一起的可能。
    从来路线之间的接地连接
    各地晶体电容，因为这种长
    地线的串扰和电磁干扰敏感。
    •
    以降低从振荡电路辐射/耦合
    GND层上孤立地岛可能是
    进行。该地岛能在一个点连接
    到GND层。这有助于保持通过所产生的噪声
    IDT®
    带电池备份非易失性RAM 4实时时钟
    IDT1338
    REV Ĵ 111009

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