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    ICS1002AI01L 参数 Datasheet PDF下载

    ICS1002AI01L图片预览
    型号： ICS1002AI01L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： FEMTOCLOCKS ？ CRYSTAL - TO- HSTL频率合成器 [FEMTOCLOCKS⑩ CRYSTAL-TO-HSTL FREQUENCY SYNTHESIZER]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 198 K
    品牌： ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
     浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ICS1002AI01L的Datasheet PDF文件第9页  
    集成
    电路
    系统公司
    ICS8421002I-01
    F
    EMTO
    C
    锁
    ™ C
    RYSTAL
    -
    TO
    -
    HSTL ˚F
    Characteristic低频
    S
    YNTHESIZER
    4.6V
    -0.5V到V
    DD
    + 0.5V
    50mA
    100mA
    73.2 ℃/ W（ 0 LFPM ）
    -65 ℃〜150 ℃的
    注：如果运行条件超出绝对下上市
    最大额定值可能会造成永久性损坏
    装置。这些评价只强调规范。实用
    产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
    彼处那些在上市
    DC特性
    or
    AC Character-
    istics
    是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
    长时间条件可能会影响产品的可靠性。
    A
    BSOLUTE
    M
    AXIMUM
    R
    ATINGS
    电源电压，V
    DD
    输入，V
    I
    输出，我
    O
    连续电流
    浪涌电流
    封装的热阻抗，
    θ
    JA
    贮藏温度，T
    英镑
    T
    ABLE
    3A 。 P
    OWER
    S
    UPPLY
    DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = V
    DDA
    = 3.3V±5%, V
    DDO
    = 1.8V ± 0.2V ，T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    DD
    V
    DDA
    V
    DDO
    I
    DD
    I
    DDA
    I
    DDO
    参数
    核心供电电压
    模拟电源电压
    输出电源电压
    电源电流
    模拟电源电流
    输出电源电流
    空载
    0
    测试条件
    最低
    3.135
    3.135
    3.135
    典型
    3.3
    3.3
    3.3
    最大
    3.465
    3.465
    3.465
    110
    12
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    T
    ABLE
    3B 。 P
    OWER
    S
    UPPLY
    DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = V
    DDA
    = 2.5V±5%, V
    DDO
    = 1.8V ± 0.2V ，T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    DD
    V
    DDA
    V
    DDO
    I
    DD
    I
    DDA
    I
    DDO
    参数
    核心供电电压
    模拟电源电压
    输出电源电压
    电源电流
    模拟电源电流
    输出电源电流
    空载
    0
    测试条件
    最低
    2.375
    2.375
    2.375
    典型
    2.5
    2.5
    2.5
    最大
    2.625
    2.625
    2.625
    96
    12
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    T
    ABLE
    3C 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
    极特
    ,
    V
    DD
    = V
    DDA
    = 3.3V±5%
    OR
    2.5V±5%, V
    DDO
    = 1.8V±0.2V,
    T
    A
    = -40°C
    TO
    85°C
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IH
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输入
    HIGH CURRENT
    输入
    低电流
    REF_CLK ， MR，
    F_SEL0 ， F_SEL1 ，
    nPLL_SEL ， nXTAL_SEL
    REF_CLK ， MR，
    F_SEL0 ， F_SEL1 ，
    nPLL_SEL ， nXTAL_SEL
    测试条件
    V
    DD
    = 3.3V
    V
    DD
    = 2.5V
    V
    DD
    = 3.3V
    V
    DD
    = 2.5V
    V
    DD
    = V
    IN
    = 3.465
    或2.5V
    V
    DD
    = 3.465V或2.5V ，
    V
    IN
    = 0V
    最小典型
    2
    1.7
    -0.3
    -0.3
    最大
    V
    DD
    + 0.3
    V
    DD
    + 0.3
    0.8
    0.7
    150
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    I
    IL
    -150
    µA
    8421002AGI-01
    www.icst.com/products/hiperclocks.html
    3
    REV 。一2006年2月6日

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