初步
集成
电路
系统公司
ICS810001-21
F
EMTO
C
锁
™ D
UAL
VCXO V
IDEO
PLL
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
34.8 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃〜150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= V
DDX
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
V
DDX
I
DD
I
DDA
I
DDO
I
DDX
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电荷泵电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
电荷泵电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
3.3
210
10
5
待定
最大
3.465
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= V
DDX
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入
HIGH CURRENT
CLK0 ， CLK1 ， MR， MF ，
P1 ： P0 ， V3 ： 0 ， N1 ： 0 ，
CLK_SEL ， XTAL_SEL
OE ， nBP0 ， nBP1
CLK0 ， CLK1 ， MR， MF ，
P1 ： P0 ， V3 ： 0 ， N1 ： 0 ，
CLK_SEL ， XTAL_SEL
OE ， nBP0 ， nBP1
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
2.6
0.5
测试条件
最低
3.0
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
µA
µA
µA
µA
V
V
I
IH
I
IL
输入
低电流
注1 ：输出端接50Ω到V
DDO
/2.
810001BK-21
www.icst.com/products/hiperclocks.html
7
REV 。一个2005年8月12日
ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
