IC42S32200
IC42S32200L
512K字× 32位×4银行（ 64兆位）
同步动态RAM
特点
·并发自动预充电
·时钟频率： 166/143/125 MHz的
•完全同步操作
·内部流水线结构
·四个内部银行（ 512K X 32位X 4bank ）
·可编程模式
-CAS ＃延迟： 2或3的
-Burst长度： 1,2,4,8或整页
-Burst类型：交错式或线性爆裂
-Burst - 读单写
·突发停止功能
·单个字节由DQM0-3控制
•自动刷新和自刷新
• 4096刷新周期/ 64ms的
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
·接口： LVTTL
·包装： 400× 875密耳， 86引脚TSOP- 2,0.50mm引脚
俯仰和11x13mm ， 90球BGA ，球间距0.8毫米
•无铅封装。
描述
该
ICSI
IC42S32200和IC42S32200L是一个高速
配置为四512K ×32的DRAM与CMOS
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。
每一个512K ×32位的银行组织的2048行
由256列由32 bits.Read和写入访问开始
在编程序列中的所选择的位置。
访问开始用BankActive的注册
命令，然后接着读或写
命令
该
ICSI
IC42S32200和IC42S32200L提供
可编程的读或写的1,2,4,8突发长度，或
整页，带有一阵终止操作。自动
预充电功能可以被启用，以提供一个自定时
行预充电的脉冲串的端部被启动，它将
sequence.The刷新功能，自动或自
刷新易于使用。
通过具有可编程的模式寄存器，系统
可以选择最合适的模式，以最大限度地发挥其
性能。
这些器件非常适合需要的应用
高内存带宽。
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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集成电路解决方案公司
DR036-0D 2005年2月4日
ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
