IC- VJ ， IC- VJZ
激光二极管控制器
冯A1 ，页4/10
电气特性
工作条件： VCC = 5V ± 10 ％ ， RSET = 5 ... 50千欧， IC- VJ ：我（ AMD ）= 50 ... 500 μA ，
IC- VJZ ：我（ AMD） = 0.15 ... 1.5毫安; TJ = -25 ... 125°C ，除非另有说明。
项
号
001
002
符号
参数
条件
Tj
°C
图。
分钟。
4.5
典型值。
马克斯。
5.5
50
V
mA
单位
设备总
VCC
IAV （ VCC ）
允许的电源电压
在VCC范围
电源电流在VCC （平均IAV （ KLD ） = 100毫安，
值）
为fosc = 3.2兆赫± 20％ ，
我（PRF ， NPRF ）= 0
脉冲边沿延迟
我（ KLD ） ，以V（ PRF ）
脉冲边沿延迟
我（ KLD ） ，以V（ NPRF ）
饱和电压在KLD
在KLD漏电流
目前在KLD
电压AMD
在KLD电流上升时间
在KLD电流下降时间
对流动比率的平均值
我（AMD ）/ I（ ISET ）
电流比I（ AMD） / I （CI）的
PRF （喜
↔
罗），I（ 50％）： V（ 50％）的
NPRF （喜
↔
罗），I（ 50％）： V（ 50％）的
-70
-70
003
004
TP （ KLD-
PRF ）
TP （ KLD-
NPRF ）
VS （ KLD ）
I0(KLD)
我（ KLD ）
V（ AMD）
tr
tf
CR1()av
70
70
ns
ns
KLD的驱动程序，AMD
101
102
103
104
105
106
107
PRF =嗨，我（ KLD ） = 200毫安
PRF = LO ，V （ KLD ） = VCC
我（AMD） = 0
IC- VJ ：
我（ AMD） = 500 μA
IC- VJZ ：
我（AMD） = 1.5毫安
IMAX （ KLD ） = 20 ... 250毫安，
我（ KLD ） ：10％
→
90%
IMAX （ KLD ） = 20 ... 250毫安，
我（ KLD ） ： 90 ％
→
10%
我（Cl ）= 0，闭合控制环路;
IC- VJ
IC- VJZ
V（ CI） = 1 ... 3.5 V ， ISET打开;
IC- VJ
IC- VJZ
0.8
2.4
0.9
2.7
47.5
625
0.95
VCC ， FOSC =常数。
CL （ ） = 50 pF的，V （ ） ： 10 ％
→
90%
CL （ ） = 50 pF的，V （ ） ： 90 ％
→
10%
R1 = 800
Ω,
C1 = 100 pF的
R
×
C =常数
2.64
0.85
2.9
1
16
1.20
27
502
503
CR （ ）
RSET
流动比率I（ CI ） / I （ ISET ）
允许的电阻在ISET到
AGND （控制设置范围）
导通阈值VCC
迟滞
热关断阈值
热关断迟滞
饱和电压LO在CI中
案例欠压
VCC = 0 ... VCCON
−
VCChys ，
我（ CI ） = 300 μA
V（ CI） = 1 ... 3.5 V，I （ AMD） = 0
0.9
2.7
1.22
1
1.1
50
kΩ
1.27
V
V
1
3
1
3
50
750
1
250
0.5
1.5
150
150
1.5
10
V
µA
mA
V
ns
ns
1.2
3.6
1.1
3.3
52.5
875
1.05
20
150
150
3.19
1.15
ns
ns
ns
兆赫
VCC ％
mV
108
CR2()
输出PRF ， NPRF
201
202
203
204
205
206
301
302
401
VAV （ ）
VPK （ ）
TPP （ ）
j()
TR （ ）
TF （ ）
FOSC
fosc/f0
DIV
输出电压I （ PRF ， NPRF ） = 0 ...- 4毫安平均值
振幅
脉冲/间歇比
抖动
上升时间
下降时间
振荡器频率
频率漂移
分频系数FOSC / PRF
参考电压
我（PRF ， NPRF ）= 0 ...- 4毫安
振荡器R， RC
分频器
参考ISET
501 V（ ISET ）
上电和热关断
601
602
603
604
605
VCCON
VCChys
花花公子
THYS
VS （ CI ） LO
3.0
300
125
10
1.5
4.1
450
150
V
mV
°C
°C
V
ICHAUS [ IC-HAUS GMBH ]
